集成电路(IC)的生产是一个复杂的过程,其特点是投资极高、技术精密、化学和物理过程步骤繁多。成本工程师必须深入了解这些工艺,才能进行有理有据的成本计算和经济分析。
集成电路制造的中心有三个主要阶段:晶圆生产、前端工艺和后端工艺。其中每个步骤都有特定的成本因素,对总体计算有重大影响。
生产首先从使用 Czochralski 工艺生产的单晶硅锭制造硅片开始。随后的加工--切割、抛光和清洗--确保必要的表面质量。虽然这一阶段只占总成本的一小部分,但它是所有后续工艺步骤的基础。
就成本而言,最重要的阶段是前端工艺,即把电子电路转移到晶片上。这需要通过光刻、蚀刻、掺杂和化学机械抛光等几道工序来完成。光刻尤其是成本和技术的关键驱动因素。根据所采用的技术--深紫外(DUV)或极紫外(EUV)--投资和运营成本差别很大。虽然 EUV 光刻技术可以实现更小的结构尺寸,但它需要价值高达 3 亿美元的机器。成本分析表明,光刻技术约占集成电路制造总成本的 25%。
结构化后,芯片被分离和封装。这一过程包括切割、粘合到载体基底和最终封装。尽管这一阶段只占总成本的 20%左右,但它涉及的人工比例较高,因此对劳动力成本的波动非常敏感。
集成电路制造是资本密集型的。约 75% 的生产设施建设成本来自对机械设备的投资。除光刻系统外,还包括沉积、蚀刻和清洗系统。材料成本包括高纯度硅片、光刻胶、蚀刻剂和各种工艺气体。对材料和纯度的要求越来越高,尤其是对较小结构尺寸的要求,这直接影响到成本。
集成电路生产成本的很大一部分(约 35%)来自管理费用。这包括人员、能源、IT 基础设施、质量保证和地点因素等方面的开支。特别是在劳动力和能源成本较高的地区,这些因素对单位成本影响很大。由于很难将成本直接分摊到单个芯片上,成本工程师通常采用特定地区的基准值。
对于成本工程师来说,集成电路制造的完整分析为确定成本驱动因素提供了坚实的基础。分析表明前端工艺在成本结构中占主导地位,特别是通过光刻技术和设备投资。精确的、基于数据的成本计算需要详细的技术理解以及评估地区和技术差异的能力。
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