Die moderne Halbleiterproduktion stellt Cost Engineers zunehmend vor die Herausforderung, tiefgreifende Transparenz in der Kostenstruktur integrierter Schaltkreise (ICs) zu schaffen. Trotz ihrer zentralen Rolle in nahezu allen elektronischen Geräten bleibt die Kostenaufgliederung dieser Komponenten vielfach undurchsichtig. Genau hier setzen die IC Procurement Insights an – mit dem Ziel, faktenbasierte Entscheidungsgrundlagen für Beschaffung und Kostenkalkulation bereitzustellen.
Ein Schlüssel zum Verständnis der IC-Kosten liegt im detaillierten Einblick in den Herstellungsprozess. Beginnend mit der Waferproduktion über den komplexen Front-End-Prozess bis hin zur abschließenden Verpackung im Back-End, beeinflussen zahlreiche Faktoren die Gesamtkostenstruktur. Die Waferherstellung basiert auf dem Czochralski-Verfahren, bei dem aus geschmolzenem Silizium einkristalline Stäbe gezogen und anschließend zu dünnen Wafern gesägt werden. Diese Wafer bilden das Ausgangsmaterial für die weiteren Prozessschritte.
Im Front-End-Prozess werden durch aufwendige Lithographie- und Ätzverfahren komplexe Schaltkreise auf den Wafer übertragen. Hier dominieren DUV- und zunehmend auch EUV-Technologien, wobei letztere für hochentwickelte Nodes unerlässlich sind – jedoch mit enormen Investitionskosten verbunden. Die Lithographie macht allein etwa 25 % der gesamten Herstellungskosten eines ICs aus, was sie zum kapitalintensivsten Abschnitt der Fertigung macht. Der übrige Front-End-Anteil summiert sich mit der Lithographie auf rund 80 % der Gesamtkosten.
Im Back-End-Bereich wird das gefertigte Die aus dem Wafer getrennt, kontaktiert und verpackt. Zwar ist dieser Prozess weniger komplex, allerdings material- und arbeitsintensiv. Die Verpackungskosten machen etwa 20 % der IC-Herstellungskosten aus. Damit ist auch dieser Abschnitt nicht zu vernachlässigen, besonders unter dem Gesichtspunkt globaler Fertigungskapazitäten und Lieferkettenstabilität.
Ein besonders relevanter Aspekt der IC Procurement Insights ist die differenzierte Betrachtung von Gemeinkosten. Diese umfassen nicht nur Personal- und Energiekosten, sondern auch Aufwendungen für Infrastruktur, IT und Qualitätsmanagement. Je fortschrittlicher der Prozessknoten, desto höher steigen diese indirekten Kosten – in Summe machen sie etwa 35 % der Gesamtkosten aus. Hier ist eine präzise regionale Benchmarking-Analyse essenziell, da sich z. B. die Kostenstrukturen zwischen Fertigungen in den USA und in Asien deutlich unterscheiden können.
Ein fundiertes Kostenmodell berücksichtigt zudem Maschineninvestitionen, insbesondere bei Lithographieanlagen. Während DUV-Systeme zwischen 50 und 100 Millionen US-Dollar kosten, liegt der Preis für eine EUV-Anlage bei bis zu 300 Millionen US-Dollar. Diese enormen Summen erfordern langfristige Planungen und strategische Allokation von Ressourcen. Ergänzt wird dies durch Materialkosten, die sich aus Silizium-Wafern, Fotolacken, Prozesschemikalien und Maskensätzen zusammensetzen – letztere können bei fortgeschrittenen Knoten mehrere Millionen Dollar kosten.
Die vorgestellte Bottom-up-Kalkulation für einen 32-Bit-Automotive-Mikrocontroller zeigt exemplarisch, wie sich Produktionsvolumen, Technologieknoten, Verpackungsform und Stückzahlen auf die finalen IC-Kosten auswirken. Für Cost Engineers bieten solche Modelle eine valide Grundlage zur Bewertung von Angeboten und zur Ableitung strategischer Beschaffungsentscheidungen, etwa im Hinblick auf Standortwahl, Technologiepfade oder Preisverhandlungen mit Foundries und OSAT-Partnern.
Zusammenfassend ermöglichen die IC Procurement Insights eine tiefgehende, technische und wirtschaftliche Betrachtung aller relevanten Kostenfaktoren entlang der IC-Wertschöpfungskette. Für Beschaffungsteams und Kostenanalysten sind sie ein unverzichtbares Werkzeug, um fundierte Entscheidungen zu treffen, Risiken zu minimieren und Wettbewerbsvorteile zu sichern – insbesondere in einem Marktumfeld, das sich durch technologische Dynamik und geopolitische Unsicherheiten gleichermaßen auszeichnet.
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White Paper – Cost Calculation Integrated Circuits (PDF)